2019年7月10日 星期三

筆記:LED (Light Emitting Diode) 發光二極體


LED是將電子(具備負電性質)多的N(-:negative)型半導體與電洞(具備正電性質)多的P(+: positive)型半導體為之接合的元件。加入順向電壓於此半導體後,電子與電洞將移動、於接合部再結合,此一再結合能量變成光並放出。相較於先將電能轉換成熱能、之後再轉換為光能的傳統光源,由於是直接將電能轉換成光能,可不浪費電能、更有效率地獲取光源。連結。發光二極體是利用二極體內,電子與電洞結合過程中能量轉換產生光的輸出。

物理原理連結

特性上,與雷射二極體比較,LED光功率小,發散角也大。 冷性發光不產生熱無需溫控 、工作壽命長 、反應速度很快、體積小、適合量產,具高可靠度、價格便宜。

LED光色是指其光的顏色,6500K左右的正白光與3000K左右的黃光。LED照度的單位是Lux,也就是實際上在某特定位置的亮度。照度的測量是以照度計來量測的,基本上離光源越遠,照度值就越小。

LED流明值代表的是「光通量」。也就是在積分球中所有光通量的數量。但是流明值不一定等於實際使用上的亮度,因為光學的設計和光的指向性都對實際照度有所影響。

有的業者為了節省晶粒的成本,會以加大電流的方式驅動LED,來提高LED的耗電量並提高亮度。但是這樣的光效是不好的,平均每瓦的流明值會下降,同時會影響到LED的壽命。

電壓電流與封裝


LED電壓與電流資料

0.06W,電壓是2.5-3.5V,電流是20mA。
0.5W,電壓是2.5-3.77V,電流是150mA。
1W,電壓是2.79-3.99V,電流是350mA。一顆就是大約1.155瓦。
3W,電壓是3.05-4.47V,電流是700mA。
5W,電壓是3.16-4.88V,電流是1000mA。
10W,電壓是3.3v,電流是3A。
比較低的瓦數為

電阻值計算參考網站  : LED 串聯電阻計算器
(電源電壓V-LED切入電壓V)÷限流電流A=電阻值Ω
範例
使用變壓器.輸出為DC12V的電源下,串聯3顆超白光LED(1W的,電壓是2.79-3.99V,電流是300mA~350mA)。 電源電壓:12V LED切入電壓:我們取平均電壓3.5V
3.5V*3=10.5 限流電流:300mA(mA千分之一安培)
帶入算式 (12V-10.5V)÷ 300mA=5Ω

封裝方式,電子零件包中大概都會有直插式F5,若論封裝,燈珠之外,以貼片最多。


  1. 貼片封裝為5050、5060、5630等中功率管,工作電流一般為50~150毫安;
  2. 貼片封裝為3014、3528、3535等小功率管,工作電流一般為20~50毫安;3535是另外購買實驗燈珠。貼片燈珠,因為體積小,大部份需要低溫焊接。不知道為什麼區分成3V和6V兩種
  3. 貼片封裝為0805、1206等小功率管,工作電流一般為10毫安。

波長


我們重點是光源的波長,這與晶粒有關。晶粒依材料不同會發出不同波長,也就是不同顏色的光。可見光的波長範圍從 470 奈米到 630 奈米,依序是紫、靛、藍、綠、黃、橙、紅。以氮化鎵 LED 為例,它可以發出藍光或綠光,鋁銦鎵磷 LED 則可以發出紅光、綠光或黃光。諸如此類,可以利用材料的選擇製作出不同色光的發光二極體。下圖是廠商資料(連結 連結 連結)


購買


起初在新竹百年蒐集到燈珠 395nm 455nm 465nm 515nm 525nm 590nm 620nm

百年電子零件櫃,猛一看好像是古代藥鋪

之後有轉往露天搜尋效果不顯著,最後是在Taobao幾家專業廠商找到完整解決方案,波長範圍精細(每個波長間隔約10nm到20nm),價格又實惠。

不同波長LED燈珠,準備製作多彩燈

可見光:主要廠商連結,之後也在購買連結補充了45mil光宏530-535nm功率:1发光颜色:其它,1w3w5w 光宏 绿光 led灯珠 530-535nm 大功率,六個。


紅外光:850nm F5插件,0.1W,監控安防用( 連結 )。整機的形式(連結1 連結2),12V推動,裡面還有個光敏電阻,可以動態調整亮暗狀況。

近紅外光:整體來說或許因為需求少,價格都非常昂貴,參考過超自然光電研究所( 連結 )超貴的。實際購買過1450nm購買(連結),實驗牙齒穿透。

其他各種奇怪的燈:
1.實驗飛行器吊載照明用,右邊的大功率燈板( 購買連結 )和燈泡( 購買連結 )。
2.圖片中間,攝影燈箱用LED燈條 ( 購買連結 )。
3.左邊是LED轉光纖的小設計。
4.還可以看見路邊路燈的本尊(連結)


LED光源各種附件:散熱和燈板


反光罩,燈珠專用的金屬反射面(購買連結  購買連結),中型玻璃和壓克力(  購買連結   45度6個   5度10個 ),台灣連結。5050專用(  購買連結 ,買了兩個卻不見 )。


LD (Laser Diode) 雷射二極體

LASER(雷射)是 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation 的縮寫,將英文簡單翻譯,其實雷射是將單一波長的光源透過一系統的結構進行放大,使得雷射光具有高強度、高同調性以及高指向性(光束集中)等特色。可以說雷射是被人為「創造」出來的,因此可以做到很多自然光做不到的事。

雷射的來源,除了二極體還包括氣體、固體雷射等(連結)。工作上較常使用的是功率較低的二極體雷射,所謂雷射的特性,就是能夠放射出波長和位相等性質完全相同的光,最大特色為干涉性強 (coherent) 。

二極體雷射的製造程序是:激發源(Pumping Source)、增益介質(Gain Medium)和共振腔(Resonant Cavity)。當電子處在高能階時,就會透過釋放能量(這邊指光子)的方式來回歸穩定,而這個釋放出的光子波長則由材料決定,因此是單一波長(頻率),這些釋放出來的光子就會在兩面反射鏡所形成的共振腔內反覆震盪,每次震盪通過增益介質後都會讓光越來越強,注入電流產生的光在2片鏡子之間(光諧振腔)來回行進,增幅至產生雷射振盪為止。最後產生高能量的「光」,再從其中一面設計過的鏡子發射出去就形成高能量的雷射光。

所以,簡單地說,雷射二極體可以說是利用反射鏡讓光增幅並開始發光的LED。具有高功率、集中性等特性。詳細介紹(連結   連結)。

雷射二極體的發光示意圖
連結

連結


而雷射依照增益介質的不同可以分為氣體雷射、液體雷射、固體雷射及半導體雷射四種,其中半導體雷射就是以三五族化合物,例如砷化鎵(GaAs ) 做為基板及增益介質,並利用 P/N 半導體及發光區產生的共振腔來產生雷射光。

這種雷射因體積小、功耗小、壽命長、容易控制等優點,應用非常廣。因為從側邊射出,所以此種雷射也稱為EEL:Edge Emitting Laser。

電機上,二極體雷射可區分為光源和驅動電路,一般便宜物件是光源和電路合一,頂多拉出TTL控制開關,但也有精密控制電流甚至溫度的高階產品,說明文件連結連結

概念是當電流小於Ith時,光以自發性幅射為主,為LED模式,此時發光的強度很弱。超過時雷射開始振盪,激發幅射強度隨著輸入電流增加而急遽增加,lth會隨著二極體的溫度上升而增加。從通訊角度來說,Ibias會是0,超過的Imod會是1,並起後面是穩定的0和1,並且是固定電流值達到穩定的光功率。

驅動板的概念 連結  連結 連結,前面提到驅動板最基本工作是提供電流,但電流會因為溫度和時間改變,所以依序加入PD回饋(基本)、以及溫度回饋(進階,若散熱好可忽略)。在此架構上,便宜和昂貴系統差別在於穩定和是否會燒壞LD。有那種五十元台幣產品(連結),也有一千多元的,價差很大。不同產品介紹(連結)。

808nm~980nm 0.2~1W電路驅動 連結

808nm~980nm 0.2~1W電路驅動 連結

850簡單驅動 連結 但不保證能用多久啊

龍回  價格範圍200 600 1200,比先前貴很多,客服評估可以用在1550nm上 連結  名稱



搭配二極體的封裝也有許多規格,例如蝶形封裝( 連結 )

手邊有的波長:
1. 紅色超小瓦數(1),ARDUINO實驗用。( 購買連結 )
2. 650nm 7mW (1),預計測試共振。(購買連結)
3. 780nm 20mW VOP: 3-5V (2),測試穿透琺瑯質(購買連結)
4. 850nm 5mW(2) ,眼底鏡計畫(購買連結) 供電預計是 3~4.2V  30mA以下
1550nm 單賣發光二極管(沒有電路連結   連結   連結)   這個有封裝過 連結




光源是光柱形式,也可加裝裝置產生不同形狀包括對焦,常見的是點光源,也有線和十字,還有直徑8mm 圓形光柵片(購買連結)打出來是很多點點。這兩個連結有光點的介紹。Laser Grating Lens 激光光柵片設計開發,激光虛擬鍵盤(連結),Laser Grating Lens激光光柵片的雷射模組解決方案(連結)。

雷射的基座(3) 購買連結

其他購買(連結)。

雷射通訊範例 連結  連結

雷射光班測量 連結

VCSEL

連結,和前述EEL相比,繼續介紹的是VCSEL,Vertical Cavity Surface Emitting Laser,垂直共振腔面射雷射。材質上與EEL相同,但是型態上,EEL是由側邊發光,用來共振放大的兩面反射鏡就是直接由晶圓切開的兩邊形成,這種方法註定了 EEL 一定要先將晶粒一顆顆切開後才能加工封裝、這種雷射發出的光功率高,距離遠,且技術成熟,目前看到的雷射應用基本上都是用 EEL。但製程上相對複雜麻煩。

VCSEL是直接由晶粒表面發光,因此不用一顆顆切開就可以直接一次做加工,因此和 EEL 相比成本降低許多,且有低耗能、光束較集中等優點。缺點是發射距離較短(可用VCSEL Array彌補)。

連結

SLD (Superluminescent Diode) 超流明二極體


SLD可看作是LD的變型,差異如下圖,連結


【雷射二極體和LED的差異】
LD與LED波長差異

SLD詳細介紹 連結

雷射的特性是,頻寬很短,例如如1540 nm(奈米)的雷射脈波實際含蓋的範圍可能為1539.9 nm到1540.1 nm,同調距離通常可以到數米之長,不適合OCT細胞級別分析。SLD的低同調低相干光源,可用在OCT。SLD與LD光源雖然不同,但電路驅動板設計相同,目前計畫由回龍協助選定LD和SLD設備。

SLD 外觀,價格昂貴 參考連結

840nm 購買連結
1550nm 購買連結  連結

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